特許

J-GLOBAL ID：200903007460084970

ドライエッチングダメージ検出装置及び半導体装置の診断方法

発明者： 山田 隆順
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234843
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079407
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 ドライエッチング工程での絶縁膜劣化に基づいた工程のモニターを、高感度で、しかも実デバイス構造に即した状態で行うためのドライエッチングダメージ検出装置及び、それらを利用した半導体装置の診断方法を提供することを目的とする。【解決手段】 MOS型キャパシタのゲート電極に接続された金属配線106と、金属配線106と1μm以下の距離で隣接し半導体基板とダイオードを介して接続された金属配線110を配置した半導体装置を形成し、金属配線110の存在に起因する金属配線106のダメージを算出する。これにより、高感度で、プロセス変動に敏感なドライエッチングダメージ検出が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたMOSキャパシタの電極に接続された第1の金属配線と、前記第1の金属配線に1μm以下の距離で隣接して形成され、前記半導体基板と電気的に接続された第2の金属配線を有するドライエッチングダメージ検出装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/302

FI (3件)：

H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/302 Z