特許

J-GLOBAL ID：200903007465821175

シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法

発明者： 高寺 勉 ,  福山 恵一 ,  坂脇 彰 ,  矢野 幸太郎 ,  橘野 裕
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195985
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031066
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】不純物をドープしたpoly-Si膜やa-Si膜の形成に適したシリコン膜、ならびに太陽電池の製造方法の提供。【解決手段】一般式SinH2n+2或いはSinH2n(nは3≦n≦7の整数)で表される高次シランに、周期律表第3族または第5族に属する原子を含有する添加物を添加し、添加物含有高次シランを得る第1工程と、第1工程で得た添加物含有高次シランを、液体状態で基板上に塗布する第2工程と、第2工程で基板に塗布した添加物含有高次シランの分解反応により、周期律表第3族または第5族原子を含んだシリコン膜を形成する第3工程とを含むことで、不純物ドープしたSi膜を形成する。

請求項（抜粋）：

以下の第1工程〜第3工程からなる、一般式SinH2n+2或いはSinH2n(nは3≦n≦7の整数)で表される高次シランを液体状で用いるシリコン膜の形成方法。第1工程高次シランに周期律表第3族または第5族に属する原子を含有する添加物を添加し、添加物含有高次シランを得る工程。第2工程第1工程で得た添加物含有高次シランを、基板上に塗布する工程。第3工程第2工程で基板に塗布した添加物含有高次シランの分解反応により、周期律表第3族または第5族原子を含んだシリコン膜を形成する工程。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/02 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/02 ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 X

Fターム (35件)：

4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072BB13 ,  4G072FF01 ,  4G072FF02 ,  4G072FF04 ,  4G072FF07 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072JJ25 ,  4G072JJ45 ,  4G072LL11 ,  4G072LL13 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072RR01 ,  4G072UU02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045EB20 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051CA06 ,  5F051CA20 ,  5F051DA04 ,  5F051GA04