特許
J-GLOBAL ID：200903007467051920
量子箱集合素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-360263
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204498
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 量子箱集合素子において光入射により入力を行う場合に、光入射により量子箱中に生成される電子-正孔対のうちの電子のみを量子箱間で伝導させることができるようにする。【構成】 GaSb層1中にInAs層2を埋設し、GaSb/InAsヘテロ接合から成る量子箱QBを複数形成する。GaSb層1上には電極3を形成する。この電極3のうちの量子箱QBに対応する部分には開口3aが形成されている。入力時には、電極3に負のバイアス電圧を印加した状態で、開口3aを通して所望の量子箱QBに光を入射させ、この光入射により生成される電子-正孔対のうちの正孔を電極3中に吸い込み、量子箱QB中に電子のみを残す。出力時には、電極3に正のバイアス電圧を印加して電極3から正孔を供給し、この正孔と量子箱QB中の電子とを再結合させて発光を起こさせ、この光を検出する。
請求項（抜粋）：
電極と、上記電極上に形成された、電子親和力φB およびエネルギーギャップEgBを有する第1の半導体から成る障壁層と、上記障壁層に接して形成された、φW >φB およびφW +EgW>φB +EgBの両関係式を満足する電子親和力φW およびエネルギーギャップEgWを有する第2の半導体から成る井戸層とから成る複数の量子箱とを有する量子箱集合素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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