特許

J-GLOBAL ID：200903007467702823

非線形光学材料およびその製造方法

発明者： 吉田 勝 ,  真鍋 由雄 ,  棚橋 一郎 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104050
公開番号（公開出願番号）：特開平6-313911
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 3次の非線形光学感受率の大きい非線形光学材料およびその製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板15上にZnS0.05Se0.95バッファー層14を1μm成長した後、膜厚8nm のZn0.75Cd0.25S0.05Se0.95ウエル層13と膜厚20nmのZnS0.05Se0.95バリア層12を交互に10層ずつ成長させ、ZnS0.05Se0.95キャップ層11を200nm 成長させたものを試料とし、線幅50nm、線間隔200nm のレジストパターンを形成し、三塩化ほう素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、バリア層12、ウエル層13の10層からなる線幅約50nmの細線を形成する。この試料を、325 °Cに設定した恒温炉にいれ、硫化水素ガスを2sccm 流して、5秒間放置する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、禁制帯幅の異なる2種のII-VI族化合物半導体が交互に積層されてなる超格子構造において、禁制帯幅の狭い方の半導体の各層の厚さが20nm以下であり、超格子構造の形状が量子細線構造または量子箱構造であり、禁制帯幅の狭い方の半導体の組成が、その内部よりも表面の方が硫黄元素を含む量が多いことを特徴とする非線形光学材料。