特許

J-GLOBAL ID：200903007474164292

プラズマ源

発明者： 根岸 敏夫 ,  樋口 克志 ,  高木 憲一 ,  深沢 博之
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314157
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142198
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、蒸発源を別個に設ける必要性がなく、プラズマの密度および安定性が高く、広くて安定した動作圧力の確保ができ、しかも、電力に対する効率がよく、ドーピング効率が向上し、高融点金属のドーピングが可能になるプラズマ源を提供することである。【構成】この発明のプラズマ源は、筒状のケーシングと、このケーシングの先端部の内側にこの内側と間隔を置くように取り付けられた内部がプラズマ室になった有底形状のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻回された高周波コイルと、プラズマセルの底部背後に配置され、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁石と、プラズマセルのプラズマ室側の底部に取り付けたスパツタターゲットとを備えたものである。

請求項（抜粋）：

筒状のケーシングと、このケーシングの先端部の内側にこの内側と間隔を置くように取り付けられた内部がプラズマ室になった有底形状のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻回された高周波コイルと、プラズマセルの底部背後に配置され、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁石と、プラズマセルのプラズマ室側の底部に取り付けたスパッタターゲットとを備えたプラズマ源。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/48 ,  H01J 27/18 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265