特許

J-GLOBAL ID：200903007477355560

電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 入戸野 巧 ,  日向 文明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018849
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211892
出願日： 1994年01月20日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 GaAs系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタの製造において、エピタキシャル成長により形成されるInGaPもしくはAlInGaPからなる障壁層の秩序化状態を解消できるようにすることを目的とする。【構成】 基板1上に、例えば有機金属気相成長法によるエピタキシャル成長を用い、チャネル層2,障壁層3,キャップ層4を順次形成する。このあと障壁層3の深さ方向全域にわたって1×1017cm-3以上のArイオン5を注入し、更に、このイオン注入された基板1を熱処理炉において窒素雰囲気中で熱処理する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、エピタキシャル成長により形成したInGaPあるいはAlInGaPからなる障壁層を含む多層膜を有する電界効果トランジスタの製造方法において、前記障壁層にこの層の結晶状態を変化させるイオン注入をする工程と、この後に熱処理する工程とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/265 C ,  H01L 21/265 Q