特許

J-GLOBAL ID：200903007485159576

半導体レーザモジュール

発明者： 古川 博之 ,  國兼 達郎 ,  渡邉 哲夫 ,  宮田 定之 ,  酒井 喜充
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094729
公開番号（公開出願番号）：特開平6-308358
出願日： 1993年04月22日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザアレイをパッケージに封止し、パッケージの外側に取着する光ファイバアレイと半導体レーザアレイとが光結合されてなる半導体レーザモジュールに関し、基台に搭載時の光結合損失増加、及び周囲温度の変化に起因する光結合損失増加が、抑制されることを目的とする。【構成】 半導体レーザアレイ1とレンズアレイ2とを金属ブロック50に搭載してLDアセンブリを構成し、LDアセンブリを側壁11に窓15を有するパッケージ10に収容封止し、側壁11の外側に取着する光ファイバアレイ20とLDアセンブリとが光結合されてなる半導体レーザモジュールにおいて、パッケージ10の側壁11の内側面に金属ブロック50がレーザー溶接されてなる構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザアレイ(1) とレンズアレイ(2) とを金属ブロック(50)に搭載してLDアセンブリを構成し、該LDアセンブリを側壁(11)に窓(15)を有するパッケージ(10)に収容封止し、該側壁(11)の外側に取着する光ファイバアレイ(20)と該LDアセンブリとが光結合されてなる半導体レーザモジュールにおいて、該パッケージ(10)の側壁(11)の内側面に、該金属ブロック(50)がレーザー溶接されてなることを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (2件)：

G02B 6/42 ,  H01S 3/18