特許
J-GLOBAL ID：200903007492145190
プラズマ反応装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-300938
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151364
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 マグネトロン放電による高密度プラズマを維持し、かつウェハ上面におけるプラズマの均一性に優れ、ウェハ上面に形成される半導体デバイスに与える損傷の少ないプラズマ反応装置を提供する。【構成】 反応容器1と棒状電極13間に放射状に電界Eが発生し、この電界に直交する磁場Bを形成し、さらに、この磁場Bに対し垂直となるようにウェハ5を配置している。これにより、マグネトロン放電により生成するプラズマのE×Bドリフト方向は、棒状電極13を中心とする円の接線方向となり、かつまたウェハ5の表面に対して平行となるために、ウェハの径方向のプラズマの遍在が抑制され、ウェハ上面におけるプラズマは均一に存在することが可能となる。
請求項（抜粋）：
所定の径を有し第1の電極をなす円筒状の反応容器と、前記反応容器の中心軸上に中心軸を配置された、前記反応容器との間に電界を発生させるための第2の電極をなす棒状の電極とを有する電界発生手段と、前記反応容器の外側に配置され、前記反応容器内に、前記反応容器の中心軸方向に対して平行な磁場を発生させるための磁場発生手段と、前記磁場に対し、垂直となるようにウェハを載置するためのウェハ載置手段と、を備えたプラズマ反応装置。
IPC (2件)：
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