特許

J-GLOBAL ID：200903007494526077

液相エピタキシャル成長方法

発明者： 長谷川 孝一
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-326787
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177064
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 結晶性の良いAlを含む III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長層を得る。【構成】 III-V族化合物半導体の液相エピタキシャル成長に際し、反応炉内にアルミニウム単体又はアルミニウムを含むガリウムもしくはインジウムの溶液を載置する。【効果】 アルミニウムが雰囲気中の微量の酸素や水分を捕捉するので、結晶性の良いエピタキシャル成長層が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に液相エピタキシャル法により III-V族半導体薄膜を成長させる方法において、エピタキシャル成長炉内にAlあるいはAlを含むGaまたはIn溶液を載置することを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。