特許

J-GLOBAL ID：200903007500040254

単結晶の成長方法

発明者： 藤原 秀樹
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042777
公開番号（公開出願番号）：特開平9-235180
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 大重量に耐え得る径の絞り部で、単結晶を無転位で成長させる。【解決手段】 溶融液10に種結晶8aの下端を浸漬し、引上げ軸7を回転させつつ種結晶8aの下端に付いて成長する結晶の径が次第に縮小されるように種結晶8aを引上げ、テーパ部を形成する。このとき、テーパ部の径方向と母線方向とで形成される絞り角θは、tan θ=2L/(D-d)の関係を成立させる。Dは種結晶8aの直径Dであり、dはテーパ部の下部直径、Lはテーパ部の長さであり、絞り角θが、単結晶の成長方位が結晶転位面となす角θ0 よりも小さくなるように設定する。テーパ部が形成された後、一定径dの結晶を成長せしめて絞り部を形成する。

請求項（抜粋）：

坩堝内に結晶用原料を充填して溶融し、種結晶を溶融液に接触せしめて引き上げ、前記種結晶に付いて成長する結晶の径寸法を徐々に減少せしめてテーパ部を形成し、所定径寸法を有して引上げた後、成長端の径寸法を除々に増大せしめる単結晶の成長方法において、前記テーパ部の径方向と母線方向とで形成される絞り角度が、前記単結晶の成長方位が結晶転位面となす角度よりも小さくなるように前記テーパ部を形成することを特徴とする単結晶の成長方法。

IPC (4件)：

C30B 15/20 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 15/20 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 J ,  H01L 21/208 P