特許

J-GLOBAL ID：200903007505813936

半導体メモリ

発明者： 恩田 道雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-177133
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020488
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【構成】 いわゆる横型のROMにおいて、メモリのデ-タを読出す場合に、目的のメモリセルにつながったデ-タ線を選択する回路以外に、隣接するデータ線を選択、充電する回路を設けた。【効果】 読出し動作時のデ-タ線の充電がデータ線の一部に限定されるようになってデ-タ読出しの安定化、および低消費電力化が可能となる。

請求項（抜粋）：

データ線間にメモリセルが接続されてなるメモリアレイを備え、データ線間の電位差を検出して読み出しを行なう半導体メモリにおいて、選択されたデ-タ線に隣接した一部のデ-タ線を選択的に充電する回路を設けたことを特徴とする半導体メモリ。