特許
J-GLOBAL ID：200903007507832768
シリコンウエハのエッチング方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319358
公開番号（公開出願番号）：特開平5-156471
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：
【要約】【目的】シリコンウエハの片面だけのポリシリコンエッチングを簡易に高能率で確実に行う。【構成】ウエハ1のエッチングすべき面1aを下向に保持し、この下向の面1aのほぼ中央部にフッ化水素酸と硝酸の混合液の液滴4を接触付着させ、この液滴4を半径方向に拡散させて面のエッチングを行い、浸食がウエハ1の周縁部に到達したら洗浄水ノズル5で純水6を吹付けて洗浄する。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハの片面のみをエッチングするに当り、被エッチング面を下向きに保持し、該下向面のほぼ中心部にエッチング液の液滴を接触付着させ、該エッチング液滴を半径方向に拡散させて該面を浸食させ、該浸食がウエハの周縁部まで到達したとき洗浄水を吹付けて洗浄することを特徴とするシリコンウエハのエッチング方法。
IPC (2件)：
C23F 1/08 103
, H01L 21/306
