特許

J-GLOBAL ID：200903007510077580

半導体集積回路装置

発明者： 田口 宏幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267600
公開番号（公開出願番号）：特開平8-129886
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】シンクロナスDRAMなどの半導体集積回路装置の改善に関する。【構成】制御信号が入力される制御端子と、前記制御信号に基づいて当該半導体集積回路装置の制御をする制御回路と、前記制御信号とアドレスとが入力されるアドレス端子と、アドレスバッファと、通常動作時には前記アドレス端子と前記制御回路及び前記アドレスバッファとを接続し、また試験動作時には前記制御端子と前記制御回路を接続し、かつ前記アドレス端子と前記アドレスバッファとを接続するスイッチング回路を有すること。

請求項（抜粋）：

制御信号が入力される制御端子と、前記制御信号に基づいて当該半導体集積回路装置の制御をする制御回路と、前記制御信号とアドレスとが入力されるアドレス端子と、アドレスバッファと、通常動作時には前記アドレス端子と前記制御回路及び前記アドレスバッファとを接続し、また試験動作時には前記制御端子と前記制御回路を接続し、かつ前記アドレス端子と前記アドレスバッファとを接続するスイッチング回路を有することを特徴とする半導体集積回路装置。