半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237947
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084914
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の周期性パターンの内部と端部において、エッチングのされやすさの差による端部の配線の寸法小の影響をなくし、コンタクトがはずれる事を防ぐ。【構成】センス増幅器やデコーダ等における周期性パターンの内部と端部において、上層の金属配線層と下層のタングステンシリサイド配線層との接続部(9A-1、...)のように、端部の設計寸法を内部より多くとりオーバーエッチングにより寸法が小となる影響をなくし、コンタクトからはずれて、基板や他の配線と短絡する事を防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面部に選択的に形成された不純物拡散層を含む半導体素子を形成する工程と、第1の層間絶縁膜を堆積し、第1の導電膜を堆積する工程と、前記第1の導電膜の所定領域にレジスト膜を周期性パターンに形成し前記レジスト膜をマスクにして前記第1の導電膜をエッチングして接続領域を有する第1の配線層を形成する工程と、第2の層間絶縁膜を堆積する工程と、前記第2の層間絶縁膜を選択的に被膜するマスク部材を用いてエッチングを行ない、前記接続領域に達するスルーホールおよび所定の前記不純物拡散層に達するコンタクトホールを形成する工程と、第2の導電膜を堆積しパターニングを行い第2の配線層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記接続領域形成用のレジスト膜の寸法を前記周期性パターンの端部で他の部分より大きく設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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