特許

J-GLOBAL ID：200903007526086457

半導体装置

発明者： 石留 治 ,  松田 正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032282
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232229
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 スイッチング損失が低減し、逆回復破壊耐量を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】 N+形カソード層11上に形成したN-形層12の表面部分に、P形アノード層13と、この外側周囲に離間してガードリング層14と、さらに外側周囲に離間してチャネルストッパ層15とが形成され、P形アノード層13の上面にアノード電極21、N+形カソード層11の下面にカソード電極22が形成されてなるもので、N-形層12のP形アノード層13の外周端とガードリング層14の内周端との間の上面に重金属拡散ゾーン19を設け、ここからN-形層12に白金を拡散し、P形アノード層13の外周端とガードリング層14の内周端との間のN-形層12に重金属拡散層20を形成し、さらにP形アノード層13の下方のN-形層12に向けて荷電粒子照射を行ってキャリヤライフタイムコントロールを行う。

請求項（抜粋）：

N+形カソード層上にN-形層が形成され、前記N-形層の表面部分にP形アノード層と、このP形アノード層の周囲に離間してガードリング層と、このガードリング層の周囲に離間してチャネルストッパ層が形成され、さらに前記P形アノード層の上面にアノード電極、前記N+形カソード層の下面にカソード電極が形成されてなる半導体装置において、前記N-形層の前記P形アノード層の外周端と前記ガードリング層の内周端との間の上面に重金属拡散ゾーンを設け、該重金属拡散ゾーンから前記N-形層に重金属拡散を行い、前記P形アノード層の外周端と前記ガードリング層の内周端との間の前記N-形層に重金属拡散層を形成すると共に、荷電粒子照射を行ってキャリヤライフタイムコントロールを行ったことを特徴とする半導体装置。