特許

J-GLOBAL ID：200903007527163536

半導体装置の製造方法

発明者： 南出 あゆみ ,  石川 英一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004462
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208389
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 所望のレジストパターンを形成することができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 半導体基板15上にレジスト液19を塗布して露光し、露光後熱処理を行った後現像し、レジストパターンを形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板15上に、レジスト液19に含まれている溶剤と同一の官能基を有し、かつ、レジスト液19の沸点より高い沸点を有する前処理用溶剤18を塗布した後、半導体基板15上にレジスト液19を塗布するものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にレジスト液を塗布して露光し、露光後熱処理を行った後現像し、レジストパターンを形成する半導体装置の製造方法において、上記半導体基板上に、上記レジスト液に含まれている溶剤と同一の官能基を有し、かつ、上記レジスト液の沸点より高い沸点を有する前処理用溶剤を塗布する第1工程と、上記半導体基板上に上記レジスト液を塗布する第2工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502

FI (3件)：

H01L 21/30 563 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 D

Fターム (8件)：

2H025AB16 ,  2H025DA23 ,  2H025EA01 ,  2H025EA05 ,  5F046AA20 ,  5F046JA09 ,  5F046JA13 ,  5F046JA22