特許

J-GLOBAL ID：200903007528456855

半導体結晶基板の支持装置

発明者： 笠井 浩二
出願人/特許権者： 日本無線株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073121
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269223
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体結晶基板の熱処理工程における基板支持装置に関し、支持ピンの材質および形状の選択の自由度が高く、且つ、結晶基板の結晶欠陥が発生しにくい結晶基板の支持装置を提供する。【解決手段】 (100)結晶面を主面20とする結晶基板10には、主面20上に8本の結晶軸が存在する。結晶基板10は、この結晶軸上の基板外周部近傍の支持位置34,36,38で支持される。結晶軸上の基板外周部は、結晶基板10の固有の結晶構造より決められる結晶欠陥が発生しにくい場所である。この場所で結晶基板10を支持することで、支持装置に起因する結晶欠陥を防ぐことができる。このとき、支持ピンの材質・形状に特別の制限は課せられず、支持ピンの選択の自由度が高くなる。

請求項（抜粋）：

半導体結晶基板の一主面を複数の支持点で支持する半導体結晶基板の支持装置であって、前記半導体結晶基板の主面の中心を原点とし、この原点から基板外周部に向かって延びる結晶軸上の前記基板外周部近傍に前記支持点を配置したことを特徴とする半導体結晶基板の支持装置。

IPC (4件)：

H01L 21/324 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/324 Q ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N

Fターム (18件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BE46 ,  4G077FK02 ,  4G077FK08 ,  5F031CA02 ,  5F031HA08 ,  5F031HA64 ,  5F031MA30 ,  5F031PA30 ,  5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045BB11 ,  5F045BB13 ,  5F045EM01 ,  5F045EM02 ,  5F045EM06 ,  5F045EM09