特許
J-GLOBAL ID：200903007529431066
不純物検出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-172187
公開番号（公開出願番号）：特開平9-021785
出願日： 1995年07月07日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【課題】 能率的に半導体基板中の金属不純物等の捕集を行い、かつ環境からの汚染を極めて少なくすることが可能な分析用試料の調製・準備法およびこれを用いた不純物の測定方法を得る。【解決手段】 半導体基板等の比測定物に比べて金属の拡散係数が同等あるいはそれ以下の物質(TiSiN,SiN,Pドープドポリシリコンなど)の不純物捕集用被膜にて半導体基板を被覆し、この半導体基板を熱処理することにより、半導体基板中の不純物を不純物捕集用被膜に捕集し、その後、遠紫外線を用いた光励起エッチング等のドライ・エッチングにより不純物を捕集・蓄積した不純物捕集用被膜をエッチング・分解し、このエッチング反応生成物を含むガスを質量分析する。
請求項（抜粋）：
被測定物中、又は被測定物の表面の不純物を検出する方法であって、該被測定物の表面に該不純物の拡散定数が該被測定物中における値と同等もしくはそれ以下の値である不純物捕集用被膜を形成し、該不純物捕集用被膜をドライ・エッチングし、エッチングによる反応生成物を分析することにより該不純物捕集用被膜に捕集された不純物を検出することを特徴とする不純物検出方法。
IPC (4件)：
G01N 27/62
, G01N 1/00 101
, G01N 1/32
, H01L 21/3065
G01N 27/62 V
, G01N 1/00 101 B
, G01N 1/32 B
, H01L 21/302 L
