特許

J-GLOBAL ID：200903007529826419

窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法

発明者： 岩佐 成人 ,  長浜 慎一
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143555
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315646
出願日： 1992年05月09日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカットするに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を損なうことなく、その上、歩留良く所望の形、サイズに切断する方法を提供する。【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体層の上からダイサーにより窒化ガリウム系化合物半導体層の厚さよりも深く溝を切り込むダイシング工程と、サファイア基板の厚さを研磨により薄くする研磨工程と、ダイシング工程で形成された溝の上からスクライバーによりスクライブラインを入れるスクライブ工程と、スクライブ工程の後、ウエハーをチップ状に分離する分離工程よりなる。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法において、窒化ガリウム系化合物半導体層の上からダイサーにより窒化ガリウム系化合物半導体層の厚さよりも深く溝を切り込むダイシング工程と、サファイア基板の厚さを研磨により薄くする研磨工程と、ダイシング工程で形成された溝の上からスクライバーによりサファイア基板にスクライブラインを入れるスクライブ工程と、スクライブ工程の後、ウエハーをチップ状に分離する分離工程よりなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/78 ,  H01L 21/86