特許

J-GLOBAL ID：200903007530511120

微細空洞形成方法及び微細空洞を有する微小装置

発明者： 杉野 林志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332727
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193052
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板に微細な空洞を制御性よく形成することができる加工技術を提供する。【構成】 シリコン基板表面に、少なくとも完全なSiO2 が形成されていない不完全部分を島状に含む自然酸化膜を形成する自然酸化膜形成工程と、前記自然酸化膜の所定領域に含まれる前記不完全部分を通して前記シリコン基板を気相エッチングし、前記自然酸化膜の少なくとも前記所定領域の下に空洞を形成するシリコンエッチング工程と、少なくとも前記自然酸化膜上に前記不完全部分を塞ぐように上層膜を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板表面の少なくとも一部に多数の微細孔を有する多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程と、前記多孔質膜の所定領域に含まれる微細孔を通して前記基板をエッチングし、前記多孔質膜の少なくとも前記所定領域の下に空洞を形成する基板エッチング工程と、少なくとも前記多孔質膜上に前記微細孔を塞ぐように上層膜を形成する工程とを含む微細空洞形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/12 ,  H01L 29/84

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-244626
  
• 特開昭63-025982
  
• 特開平4-132217