マイクロエレクトロメカニカル的に同調可能な共焦型の垂直キャビティ表面放出レーザ及びファブリー・ペローフィルタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-527004
公開番号（公開出願番号）：特表2002-500446
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2002年01月08日
要約：

【要約】マイクロエレクトロメカニカル的に同調可能な垂直キャビティ表面放出レーザ及びマイクロエレクトロメカニカル的に同調可能なファブリー・ペローフィルタを横方向及び垂直方向寸法を正確に制御して製造する方法が提供される。歪みを加えた反射型の誘電性膜が多数量子井戸構造体に付与されて、その量子井戸を電子的にバンドギャップエンジニアリング加工する。また、垂直キャビティ表面放出レーザ又はフィルタにおける平坦で反射型の誘電性薄膜と湾曲した反射型の誘電性薄膜との間に共焦キャビティを形成し得るように反射型誘電性膜の積み重ね体の1つに適当な曲率を形成すべく反射型誘電性膜層内に適当な歪みが使用される。また、金属支持ポストにより外周にて固着される間に、キャビティ同調可能な反射型の誘電性膜積み重ね体を支持する、誘電材料/金属メンブレン又は膜で出来た懸架メンブレン構造体を有するマイクロエレクトロメカニカル的に同調可能な垂直キャビティ表面放出レーザ及びフィルタ構造体も提供される。マイクロ機械加工した犠牲ポリイミド又はアルミニウムディスクを使用して、マイクロダイキャスティングすることにより空気キャビティの長さ及び横方向寸法が正確に設定される。更に、制御された静電界中をキャビティ同調可能な反射型誘電性膜積み重ね体が並進動作することにより同調が為される。

請求項（抜粋）：

予め成長させた結晶半導体材料の量子井戸内に予め選択した量及び型式の歪みを導入する方法において、前記結晶半導体材料で形成され、上面を有し且つ多数の量子井戸を画成する部材を提供するステップと、少なくとも1つの薄膜層を前記部材の前記上面の上に蒸着して、前記少なくとも1つの薄膜層が予め選択した量及び型式の歪みを保持し、前記少なくとも1つの薄膜内の前記歪みの型式が前記部材内に導入することを望む型式のものと反対の型式であるようにするステップとを備える、方法。

IPC (3件)：

H01S 5/183 , G01J 3/26 , H01L 29/06

FI (3件)：

H01S 5/183 , G01J 3/26 , H01L 29/06

Fターム (13件)：

2G020CA12 , 2G020CB06 , 2G020CB23 , 2G020CC23 , 2G020CC26 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073AB28 , 5F073CA12 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA35

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