特許
J-GLOBAL ID：200903007533391001
一様かつ反復可能な高速熱処理用の半導体ウエーハの調節
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029570
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007005
出願日： 1993年01月04日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 小工場開始材料の一様かつ反復可能な高速熱処理用の半導体ウエーハの後面を作成する方法を提供する。【構成】 勝れたRTPの一様性およびウエーハ対ウエーハの反復性を得るために、後面酸化物が一様であり、さらに窒化物層の厚さはできるだけ厚くなければならない。総合された流れを経て一定の後面の層が得られつまり不変の放射率を生じる。また後面窒化物の酸化抵抗(例えば電界酸化中の)は、ウエーハ処理の間に後面の上に酸化物が成長するのを防ぐ。窒化物/酸化物の積重ねは、ドープ材拡散よりもはるかに良好な拡散バリヤである。酸化物腐食段階中に少量の窒化物腐食が生じるために、後面窒化物が総合された流れを通して完全に保たれる。
請求項（抜粋）：
ウエーハの前面の上に保護酸化物の層を形成する段階と、ウエーハの後面にシール酸化物の層を形成する段階と、ウエーハの前面および後面の上に窒化物の層を形成する段階と、ウエーハの後面をホトレジスト層で被覆する段階と、ウエーハの前面から前記窒化物の層を剥離する段階と、前記ホトレジストの層をウエーハから剥離する段階と、ウエーハの前面から前記酸化物の層を剥離する段階とを含む、ことを特徴とする高速熱処理のための半導体ウエーハの後面処理の方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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