特許
J-GLOBAL ID：200903007537360119
EL素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣澤 勲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-134317
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312583
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 有機EL材料を劣化させることなく、微細で高品質な発光表示を可能にするEL素子の製造方法を提供する。【解決手段】 透明な基板10の表面に透明な電極材料により所定のピッチでストライプ状となるように透明電極12を形成し、この透明電極12にEL材料からなる発光層14を蒸着等の真空薄膜形成技術により積層し、発光層14の全面に真空薄膜形成技術により電極材料からなる背面電極層15を設ける。この背面電極層15に、所定のピッチで透明電極12と略直交するストライプ状にレジスト18を設けて、一次エッチングにより所望のエッチング量の約半分以上を行う。この後上記レジスト18を除去して二次エッチングにより背面電極層15の全面をエッチングし、レジスト18が形成されなかった部分が発光層14に達するまでエッチングを行うことにより、ストライプ状の背面電極16を形成する。この後発光層14と背面電極16の表面を絶縁膜20で被覆する。
請求項（抜粋）：
透明な基板表面に透明な電極材料により所定のピッチでストライプ状となるように透明電極を形成し、この透明電極にEL材料からなる発光層を真空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の全面に真空薄膜形成技術により電極材料からなる背面電極層を設け、この背面電極層に所定のピッチで上記透明電極と略直交するストライプ状にレジストを設けて、一次エッチングにより所望のエッチング量の約半分以上を行い、この後上記レジストを除去して二次エッチングにより上記背面電極の全面をエッチングし、上記レジストが形成されなかった部分が上記発光層に達するまでエッチングを行うことによりストライプ状の背面電極を形成し、この後上記発光層と上記背面電極の表面を絶縁膜で被覆するEL素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B 33/10
, H05B 33/14 A
