特許
J-GLOBAL ID:200903007538487384

投影マスクおよびパターン形成のためのシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-302982
公開番号(公開出願番号):特開平7-072613
出願日: 1993年12月02日
公開日(公表日): 1995年03月17日
要約:
【要約】【目的】 ウエハの表面の高さの変化を補償する投影マスクを提供する。【構成】 投影マスク(22)は、固定された波長の少なくとも部分的に干渉性の放射光(30)を受ける。マスクは、(a)放射光の一部分を遮断する不透明領域と(b)放射光の一部分を透過する透明領域とを有する。透明領域の厚さは、透過された放射光(36)の焦点を局部的に調節するために、透過された放射光が3つ以上好ましくは4つ以上のディスクリートな位相角で透明領域の異なる部分を通過するように変化する。主な応用において、構造上にパターンを形成する際に透過された放射光が与えられる構造(26および28)の形態に従って、焦点位置は局部的に変化する。結果として、焦点深度は増加する。
請求項(抜粋):
実質的に特定された波長の少なくとも部分的に干渉性の最初の放射光を受けるための投影マスクであって、マスクは(a)放射光の一部分を遮断する不透明領域と(b)放射光の一部分を透過する透明領域とを有し、透明領域の厚さは、透過された放射光の焦点を局部的に調節するために、透過された放射光が3つ以上の異なる実質的にディスクリートな位相角で透過された領域の異なる部分を通過するように変化する、投影マスク。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/30 502 ,  H01L 21/30 528

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