特許
J-GLOBAL ID：200903007541323457
抵抗変化型メモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-059927
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273615
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】各種電気機器に使用される抵抗変化型メモリにおいて、低消費電力化を目的とする。【解決手段】電極12の間の絶縁性溶媒に導電性DNA分子を封入する。電極12の間に時間的に振幅が変化する電界を印加することにより、絶縁性溶媒中のDNA分子の形態(伸張構造と折りたたみ構造)を制御する。伸張構造では電極12の間がDNA分子によって結線され低抵抗化し、折りたたみ構造では電極12の間がDNA分子で結線できず高抵抗化する。DNA分子の太さは2nm程度とたいへん微細であるため、電極12の間の電流値は小さく低消費電力な抵抗変化型メモリが得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性を有する線状の高分子と、絶縁性の溶媒とを有し、当該溶媒中に当該線状高分子を浮遊させ、かつ当該高分子に電界を印加する電極を設けた抵抗変化型メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 451
, G11C13/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083PR03
, 5F083PR22
