特許

J-GLOBAL ID：200903007542912804

半導体レーザ

発明者： 水由 明 ,  園田 慎一郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-356397
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183449
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 横モード競合により生じるノイズの周波数がより高域側にシフトされた幅広リッジ構造の半導体レーザを得る。【解決手段】 30μm以上の幅広リッジ構造を有する半導体レーザにおいて、活性層14の他に、発振光を吸収する、導波損失が3cm-1以下の光吸収層17を設ける。

請求項（抜粋）：

30μm以上の幅のリッジ構造を有する半導体レーザにおいて、活性層以外に、発振光を吸収する、導波損失が3cm-1以下の光吸収層を有することを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/065 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01S 3/18 634 ,  H01S 3/18 662 ,  H01S 3/18 673

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA27 ,  5F073EA29