紫外線照射によるビスマス系層状ペロブスカイトSrBi2Ta2O9薄膜の新規結晶性・配向性・表面平滑性制御方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128632
公開番号（公開出願番号）：特開2002-321918
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】紫外線照射によるビスマス系層状ペロブスカイトSrBi2 Ta2 O9 薄膜の新規な結晶性・配向性・表面平滑性の制御方法を提供する。【解決手段】部分加水分解したSr-Bi-Taトリプルアルコキシド前駆体溶液をPt電極付きSi基板上にスピンコーティング、乾燥後、この結晶化前の薄膜に超高圧水銀灯、もしくは低圧水銀灯を用いて紫外線照射することにより、結晶性・表面平滑性の向上したC軸配向性ビスマス系層状ペロブスカイトSBT薄膜、及び主に(115)方向に配向した結晶性・表面平滑性の良いビスマス系層状ペロブスカイトSBT薄膜を製造する。【効果】製造プロセス中に光化学反応を導入することにより、結晶性・配向性・表面平滑性制御されたビスマス系層状ペロブスカイト薄膜をより簡便・効率的に製造することができる。この技術を用いることにより優れた強誘電体特性のビスマス系層状ペロブスカイト薄膜の低温化、及びプロセスの効率化が図られるため、機能性集積材料の開発に大きく貢献できる。

請求項（抜粋）：

部分加水分解したSr-Bi-Taトリプルアルコキシド(Sr[BiTa(OR)9 ]2 ,R:C,H,Oを含む有機官能基)を前駆体溶液として、Pt電極付き基板上にコーティングした結晶化前のSrBi2 Ta2 O9 (SBT)薄膜に、紫外線照射することを特徴とする、ビスマス系層状ペロブスカイトSBT薄膜の結晶性・配向性・表面平滑性制御方法。

IPC (6件)：

C01G 35/00 , C30B 29/30 , H01L 27/105 , H01L 37/02 , H01L 41/187 , H01B 3/12 312

FI (7件)：

C01G 35/00 C , C01G 35/00 B , C30B 29/30 B , H01L 37/02 , H01B 3/12 312 , H01L 27/10 444 C , H01L 41/18 101 J

Fターム (23件)：

4G048AA05 , 4G048AB03 , 4G048AD02 , 4G048AD08 , 4G048AE08 , 4G077AA03 , 4G077BC36 , 4G077CB08 , 4G077EJ04 , 4G077HA11 , 5F083FR00 , 5F083GA27 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083PR00 , 5F083PR34 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB05 , 5G303CB32 , 5G303CB33 , 5G303CD04 , 5G303DA06

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