特許
J-GLOBAL ID:200903007544899120

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-201704
公開番号(公開出願番号):特開平7-058153
出願日: 1993年08月13日
公開日(公表日): 1995年03月03日
要約:
【要約】【目的】 本発明はフリップチップを接合される半導体装置の製造方法に関し、はんだバンプの高さばらつきに拘らず接合を確実にして信頼性の向上を図ることを目的とする。【構成】 半導体チップ11の電極パッド12上に形成したバンプ13表面の酸化膜15を除去した後、バンプ13の高さを測定する。このバンプ13の高さの測定結果に応じて、回路基板17と半導体チップ11を所定間隔で圧着により仮固定し、そして所定間隔で本接合を行う構成とする。
請求項(抜粋):
基板(17)上に電子部品(11)を所定数のバンプ(13)により接合する半導体装置の製造方法において、前記基板(17)又は電子部品(11)の少くとも何れかに前記バンプ(13)を所定数形成する工程と、形成された該バンプ(13)の表面の酸化膜(15)を除去する工程と、総ての該バンプ(13)の高さを測定する工程と、該高さ測定の結果に応じて、該基板(17)と該電子部品(11)を所定間隔で圧着により仮固定する工程と、該仮固定後に所定条件の雰囲気中で、該基板(17)と該電子部品(11)を所定間隔で該バンプ(13)を溶融させて該基板(17)上に該電子部品(11)を本接合する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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