特許
J-GLOBAL ID：200903007554479596
スイツチング素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101646
公開番号（公開出願番号）：特開平5-119355
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、広範囲でのデバイス設計が可能で、しかも素子特性のバラツキが少なく、しきい値電圧、耐圧性に優れ、歩留りが良く、かつ耐環境性のすぐれた薄膜二端子素子の提供を目的とする。【構成】 下部電極と上部電極の間に絶縁膜として硬質炭素膜を設け、また下部電極中の酸素含有量を8原子%以上30原子%以下としたことを特徴とする薄膜二端子素子。
請求項（抜粋）：
下部電極と上部電極との間に、絶縁膜を介在させてなる薄膜二端子素子において、絶縁膜として硬質炭素膜を使用し下部電極に含有される酸素含有量が8原子%以上30原子%以下であることを特徴とする薄膜二端子素子。
IPC (3件)：
G02F 1/136 510
, H01L 27/12
, H01L 49/02
