特許

J-GLOBAL ID：200903007557175121

パワー用半導体装置の製造方法

発明者： 福山 淳
出願人/特許権者： ローム株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-122587
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335677
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 パワー用半導体装置の放熱性を損なわず、外観視に優れ、水分進入等の問題の生じ難い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 一対の金型の合わせ面に空所を形成し、この空所にリードフレームのアイランドを浮かせた状態で配置した後、前記空所に熱硬化性樹脂を注入して、前記アイランドおよびこの一方面に実装した半導体素子を含み樹脂封止する半導体装置の製造方法であって、前記アイランドの他方面と当該他方面と対向する一方の金型の面とでなす間隙が、前記アイランドの一方面と当該一方面と対向する他方の金型の面とでなす間隙より小さい2.0ないし0.3mmに設定するとともに、前記一方の金型の面が最大表面粗さHmax3ないし10μmの範囲の梨地仕上げとすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一対の金型の合わせ面に空所を形成し、この空所にリードフレームのアイランドを浮かせた状態で配置した後、前記空所に熱硬化性樹脂を注入して、前記アイランドおよびこの一方面に実装した半導体素子を含み樹脂封止する半導体装置の製造方法であって、前記アイランドの他方面と当該他方面と対向する一方の金型の面とでなす間隙が、前記アイランドの一方面と当該一方面と対向する他方の金型の面とでなす間隙より小さい2.0ないし0.3mmに設定するとともに、前記一方の金型の面が最大表面粗さHmax3ないし10μmの範囲の梨地仕上げとすることを特徴とするパワー用半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  B29C 33/30 ,  B29C 33/42

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-060146
  
• 電子部品の樹脂封止成形装置と成形品の離型方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-154286   出願人：トーワ株式会社
• 特開昭57-129710
  
• 特開平4-361537