半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228403
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097378
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】ウェルの横方向拡散が小さく、ウェル内にあるウェルに形成したトランジスタのソース/ドレイン拡散層と外のウェルとのパンチスルーが防止でき、しかも製造工程数が増加しない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】第1の導電型の半導体基板10と、半導体基板10の主表面の第1の領域に形成された、第2の導電型の第1のウェル20a、20bと、半導体基板10の主表面の、第1の領域とは異なる第2の領域に形成された、第1の導電型の第2のウェル22aと、第1のウェル内に形成された、第1の導電型の第3のウェル22bと、第3のウェル領域に形成され、且つ素子領域の半導体基板表面から離間した半導体基板内部に形成された、第1の導電型の高濃度不純物層26とを有する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面の第1の領域に形成された、第2の導電型の第1のウェルと、前記半導体基板の主表面の、前記第1の領域とは異なる第2の領域に形成された、前記第1の導電型の第2のウェルと、前記第1のウェル内に形成された、前記第1の導電型の第3のウェルと、前記第3のウェル領域に形成され、且つ素子領域の前記半導体基板表面から離間した前記半導体基板内部に形成された、前記第1の導電型の高濃度不純物層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/08 331 , H01L 21/265

引用特許：

審査官引用 (12件)

不揮発性半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-204354 出願人：三星電子株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-087330 出願人：三菱電機株式会社
特開昭61-237422

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