特許

J-GLOBAL ID：200903007560417560

半導体装置の製造方法

発明者： 大平 請一郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256729
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091269
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】配線又はビアの材料として使用される銅などの導電膜を気相成長法により形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、ホールや溝内で導電膜にボイドが発生することを防止し、導電膜とバリアメタル膜の密着性を向上するとともに、導電膜成長時間の制御を容易にすること。【解決手段】絶縁膜17,18に形成された開口19を金属種ソースガスの雰囲気中に曝しながら、その開口19の底と前記絶縁膜17,18の上に向けて光を照射することにより、開口19の底と絶縁膜17,18の上に金属核22を生成し、その後に、気相成長法によって開口19内に金属膜23を成長する工程を含む。

請求項（抜粋）：

導電層又は半導体層の上に絶縁膜を形成する工程と、底部で前記導電層又は前記半導体層を露出させる開口を前記絶縁膜に形成する工程と、前記開口の底部も含め、前記絶縁膜を金属種ソースガスの雰囲気中に曝しながら、前記開口の底部と前記絶縁膜の上に向けて光を照射することにより、前記開口の底部と前記絶縁膜の上に金属核を生成する工程と、気相成長法によって前記開口内に、前記金属核をなす元素と同一の元素からなる金属膜を成長する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/90 A

Fターム (28件)：

4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104EE15 ,  4M104EE18 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH09 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  5F033AA02 ,  5F033AA09 ,  5F033AA29 ,  5F033AA64 ,  5F033BA01 ,  5F033BA11 ,  5F033BA12 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033DA04 ,  5F033DA15 ,  5F033DA23 ,  5F033EA23 ,  5F033EA29