特許

J-GLOBAL ID：200903007564010650

半導体ウェハ研磨方法およびシステム

発明者： リミン、ツァン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-530910
公開番号（公開出願番号）：特表2003-511873
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月25日
要約：

【要約】CMP(chemical mechanical polishing)機械での半導体ウェハのCMP処理を最適化する方法である。この最適化方法は、以下のステップを含み、まず、一連のテスト用のウェハをCMP機械上で研磨するステップを含んでいる。CMP処理の間に、機械に結合された膜厚検出器を用いて、膜の厚さが各ウェハの中心に最も近似する第1の点で測定される。各ウェハの外周縁に最も近似する第2の点での膜の厚さも、また、測定される。前記第1の点および前記第2の点におけるプロセス中での膜の厚さの測定に基づいて、最適化プロセスは、プロセス変量のセットに関する剥離速度および剥離均一性を記述する研磨プロファイルを決定する。このプロセス変量は、例えばウェハに加えられる下方方向への力の量のような研磨プロセスのための異なるCMP機械の設定を含んでいる。したがって研磨プロファイルは、結果として生じた製品ウェハを研磨するために用いられている。各製品ウェハについて、それらの個々の剥離速度および剥離均一性は、膜厚検出器を用いて前記製品ウェハの中心における膜厚および前記ウェハの外周縁における膜厚を測定することにより決定される。この測定に基づいて、プロセス変量の前記セットは、個々のウェハが研磨されていることから前記製品ウェハの前記CMPプロセスを最適化するために、製品ウェハの剥離速度および剥離均一性の測定にしたがって調整されている。

請求項（抜粋）：

CMP(chemical mechanical polishing)機械での半導体ウェハのCMP処理を最適化する方法であって、 a)一連のテスト用のウェハをCMP機械上で研磨し、 b)各ウェハの中心に最も近似する第1の点での膜の厚さを決定し、 c)各ウェハの外周縁に最も近似する第2の点での膜の厚さを決定し、 d)前記第1の点および前記第2の点で膜の厚さに基づいて、ウェハに与えられる下方への力の量を含むプロセス変量のセットに関する剥離速度および剥離均一性を記述する研磨プロファイルを決定し、 e)前記研磨プロファイルにしたがって前記CMP機械上の製品ウェハを研磨し、 f)前記製品ウェハの中心における膜厚および前記ウェハの外周縁における膜厚を決定することにより、製品ウェハの剥離速度および剥離均一性を決定し、 g)前記製品ウェハの前記CMPプロセスを最適化するために、前記ステップf)で決定された、前記製品ウェハのための前記剥離速度および前記剥離均一性に基づいて前記プロセス変量のセットを調整する、 ステップを備える方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/04 K ,  H01L 21/66 P

Fターム (17件)：

3C058AA07 ,  3C058AA11 ,  3C058BA01 ,  3C058BA02 ,  3C058BA09 ,  3C058BB02 ,  3C058BB09 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17 ,  4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH57 ,  4M106DJ38