特許

J-GLOBAL ID：200903007578263330

内包フラーレンによる分子及び薄膜トランジスタ

発明者： 黄 厚金 ,  阿多 誠文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-334894
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172270
出願日： 2002年11月19日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】室温で稼動可能であり、しかも活性素子が制御可能なバンドギャップ及び均一な構造を有するように構成される分子トランジスタを提供する。【解決手段】活性素子として一般式Mx@Cy(Mは、周期表のIA族,IIA族,VA族,及びIIIB族の元素群の中から選択されるフラーレンに内包される元素であり、上記xは、1≦x≦4(但し、xは内包原子の数を表す)を満足し、上記yは、36≦y≦100を満足する。)の内包フラーレンによる分子及び薄膜トランジスタを提供する。上記内包フラーレンのバンドギャップは、0.2eV以上、1.2eV以下である。また、この内包フラーレンは、単一分子、二量体、線状重合体及び薄膜の各種トランジスタに用いることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの一般式Mx@Cyの内包フラーレンを含み、 前記Mは、周期表のIA族,IIA族,VA族,及びIIIB族の元素群の中から選択されるフラーレンに内包される元素であり、前記xは、1≦x≦4(但し、xは内包原子の数を表す)を満足し、前記yは、36≦y≦100を満足すること を特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L29/786 ,  B82B1/00 ,  C01B31/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  B82B1/00 ,  C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/91 F

Fターム (19件)：

4G146AA08 ,  4G146AA13 ,  4G146AA16 ,  4G146BA01 ,  4G146BA38 ,  4G146BC17 ,  4G146BC23 ,  4G146CA03 ,  4G146CA11 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02