特許

J-GLOBAL ID：200903007588652890

薄膜デバイス及び薄膜デバイスの製造方法

発明者： 木村 忠司 ,  村岸 勇夫 ,  関口 大好 ,  坂口 昌也 ,  辻 弘恭 ,  三谷 覚
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137010
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028442
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 薄膜デバイス及び薄膜デバイスの製造方法において、ドライエッチング法を用いた、下地膜をエッチングしない高選択の導体層のパターニングが行える薄膜デバイス及び薄膜デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 パターニングされる導電層又は導体層下層として、酸素を含むガスでドライエッチング可能な導体層を備え、酸素を含むプラズマで下地膜と高選択にドライエッチングする。

請求項（抜粋）：

薄膜デバイスにおける電気配線となる導体層を、酸素を含むガスでドライエッチング可能な導体層としたことを特徴とする薄膜デバイス。

IPC (9件)：

H01L 29/786 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/78 ,  H01L 43/08

FI (10件)：

H01L 29/78 617 J ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 43/08 D ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 M