特許
J-GLOBAL ID：200903007591173235
イオン注入方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010439
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217123
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 超高エネルギーによるイオン注入に適したマスクを形成してイオン注入を行う。【解決手段】 シリコン基板2の表面にたとえばシリコンの酸化物による第1の無機膜4を形成し、つづいてシリコン基板2をシリコン・エピタキシャル成長炉に導入してエピタキシャル成長によりシリコン層6を形成する。次に、シリコン層6の上にたとえばシリコンの酸化物による第2の無機膜8を形成し、フォトレジスト層10を用いたフォトリソグラフィーによりパターン化する。さらに、第2の無機膜8をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層6をパターン化し、このシリコン層6をマスクとして、5MeVないし8MeVのエネルギーでシリコン基板2にイオン12を注入する。
請求項（抜粋）：
マスクを用いてシリコン基板の特定箇所にイオン注入を行う方法であって、前記シリコン基板の表面にシリコンの酸化物または窒化物による第1の無機膜を形成し、前記第1の無機膜の上にシリコン層をエピタキシャル装置により形成し、前記シリコン層の上にシリコンの酸化物または窒化物による第2の無機膜を形成し、前記第2の無機膜をパターン化し、パターン化した前記第2の無機膜をマスクとするエッチングにより前記シリコン層をパターン化して前記第1の無機膜を露出させ、パターン化した前記シリコン層をマスクとして前記シリコン基板にイオン注入を行い、その後、前記第2の無機膜および前記シリコン層を除去することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (2件)：
H01L 21/266
, H01L 21/308
H01L 21/308 D
, H01L 21/265 M
5F043AA02
, 5F043BB03
, 5F043GG10
