特許

J-GLOBAL ID：200903007594332423

スピンバルブ構造とその製造法

発明者： カレン・アッテンボロー ,  ハンス・ブーフェ ,  ヨ・デ・ブック ,  ジャン-ピエール・スリ
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ ,  カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197463
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150237
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 低磁界で強い磁気抵抗信号と高感度が可能な新規な磁気的装置を提供する。【解決手段】 本発明は、1つの観点では、第1と第2の自由な強磁性層とその間に位置されるスペーサーからなるスピンバルブ構造に関する。ここで、第1の自由な強磁性層は、基板の上に位置される。好ましい実施形態では、第1の自由な強磁性層は、基板の表面と直接に接触する。

請求項（抜粋）：

第1と第2の自由な強磁性層と、この第1と第2の自由な強磁性層の間に位置されるスペーサー層とからなり、前記の第1の自由な強磁性層は伝導性基板の上に両者の間に絶縁バリア層を介在させて位置されるスピンバルブ構造。

IPC (2件)：

H01F 10/32 ,  G11B 5/39

FI (2件)：

H01F 10/32 ,  G11B 5/39