二層レジスト組成物を使用する光学リソグラフによりサブ-ハーフミクロンパターンを形成する方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-221650
公開番号（公開出願番号）：特開平6-202338
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】二層レジスト組成物中の0.5ミクロン以下の幅をもつマイクロリソグラフレリーフ画像を形成するための方法の提供。【構成】この方法で用いるレジスト組成物は、単一成分の珪素含有ホトイメージ層と、上側にあるレジストの屈折率と同様の屈折率と高い光学濃度とをもつポリマー下層とで構成される。この方法は、i-線(365nm)または深UV光(170〜300nm)光源を使用して上部層にレリーフ像を形成し、これにつづいてポリマー下層へのレリーフ像のO2RIE転写ができるようになっている。

請求項（抜粋）：

(a) 基板に、露光する紫外線の波長で、約1.58〜1.7の範囲の屈折率を有するポリマーの下層を付与し;そして(b) この下層に、以下の式【化1】(式中、(1) RはHまたはSi(CH3)3のいずれか、あるいはこれらの組み合わせであり;(2) Arは独立して、それぞれ以下の式で表わされるp-ヒドロキシフェニル、p-メトキシフェニルまたはp-(2-ジアゾ-1-ナフトキノンスルホニルオキシ)フェニルであり;【化2】(3) DQは、それぞれ以下の式で表わされる、2-ジアゾ-1-ナフトキノン-4残基、2-ジアゾ-1-ナフトキノン-5残基、またはこれらの混合物であり、【化3】(4) nは10〜20の整数であり;そして(5) p-ヒドロキシフェニル基/p-メトキシフェニル基/p-(2-ジアゾ-1-ナフトキノンスルホニルオキシ)フェニル基のモル比は67:25:8から58:30:12の範囲である)、を有するジアゾナフトキノン基により部分的にエステル化されている、感光性のヒドロキシ芳香族シルセスキオキサンポリマーからなる組成物で上塗りし;(c) この感光性シルセスキオキサンポリマーを紫外線に像露光して潜像を形成させ;(d) この潜像を現像してシルセスキオキサンポリマーにレリーフを形成させ;そして(e) このレリーフ像をO2RIEによりポリマー下層に転写する、各工程からなる、少なくとも二つの層を有し、且つサブ-ハーフミクロンの形状を有するホトレジストレリーフ画像の作成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/075 511 , G03F 7/022 , G03F 7/027 514 , G03F 7/039 501 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R , H01L 21/30 361 S

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