特許

J-GLOBAL ID：200903007599858792

結晶化過程を光学的に監視する結晶質シリカ粒子の製造方法

発明者： 藤井 淳成 ,  寺瀬 邦彦 ,  井上 真樹 ,  小野 英一 ,  佐々木 隆好
出願人/特許権者： 洞海化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小池 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-220808
公開番号（公開出願番号）：特開2003-034520
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 非結晶シリカを、水熱処理して結晶質シリカへと変化させる過程において、スラリーの状態のまま、結晶化の過程を定量的に把握する。【解決手段】 非晶質シリカ粒子をアルカリ性水溶液中でスラリー状態において水熱処理して、結晶質シリカへと変化させるに際し、この結晶化の過程にある粒子を含有するスラリーに、近赤外線を照射して、その散乱光量を検出・測定し、結晶化の進行の度合いを測定し、特に透過散乱光量の出力Qがほぼ一定になった時点で水熱反応を停止することにより結晶質シリカ粒子を製造する。

請求項（抜粋）：

非晶質シリカ粒子をアルカリ性水溶液中でスラリー状態において水熱処理して、結晶質シリカへと変化させる工程からなる結晶質シリカ粒子の製造方法において、当該粒子の結晶化の過程を、スラリー状態のまま、その散乱光量により光学的に監視する手段を含むことを特徴する結晶質シリカ粒子の製造方法。

IPC (3件)：

C01B 33/12 ,  C01B 33/38 ,  G01N 21/35

FI (3件)：

C01B 33/12 B ,  C01B 33/38 ,  G01N 21/35 Z

Fターム (30件)：

2G059AA01 ,  2G059AA05 ,  2G059BB04 ,  2G059BB16 ,  2G059DD16 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059FF04 ,  2G059GG10 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ11 ,  2G059KK01 ,  2G059KK03 ,  2G059MM01 ,  4G072AA25 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH16 ,  4G072JJ21 ,  4G072LL06 ,  4G072RR12 ,  4G072RR19 ,  4G073BD01 ,  4G073BD20 ,  4G073CA06 ,  4G073CB03 ,  4G073FB11 ,  4G073FC03 ,  4G073FE10