特許
J-GLOBAL ID：200903007602014991
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327290
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183513
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【構成】半導体基板100上にゲート絶縁膜102を介してポリシコン膜103を形成し、さらに高融点金属シリサイド膜105及び第1の窒化膜106を形成する工程と、これをゲート電極形状に加工した後、その側壁に第2の窒化膜107を形成し、第1の窒化膜106及び第2の窒化膜107をマスクとしてポリシリコン膜103に対しエッチングを施す工程と、これに熱処理を施すことによりポリシリコン膜103と半導体基板100との間にバーズビーク109を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。【効果】本発明を用いると、タングステンシリサイド等の高融点金属シリサイド膜上のみにシリコン窒化膜を形成することにより、後酸化時のタングステンシリサイド表面の酸化量が大幅に低減されるため、配線抵抗の上昇を押さえることができ、かつゲート酸化膜の信頼性の高い半導体装置を提供できる。この結果、製品歩留まりも大きく向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してポリシコン膜を形成する工程と、前記ポリシリコン膜上に高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、前記高融点金属シリサイド膜上に第1の窒化膜を形成する工程と、前記第1の窒化膜及び前記高融点金属シリサイド膜に対し選択的にエッチングを施しゲート電極形状に加工する工程と、ゲート電極形状に加工された前記第1の窒化膜及び前記高融点シリサイド膜の側壁に第2の窒化膜を形成する工程と、前記第1の窒化膜及び前記第2の窒化膜をマスクとして前記ポリシリコン膜に対しエッチングを施す工程と、熱処理を施すことにより前記ポリシリコン膜と前記半導体基板との間にバーズビークを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
