特許

J-GLOBAL ID：200903007604621810

マーク付き半導体結晶基板及びその製造方法

発明者： 小石 栄三
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-000462
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151264
出願日： 1993年01月06日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】半導体結晶基板に高コントラストのマーキングを行なうための手段及び目に見えない潜在マーキングを行なうるための手段を提供すること。【構成】ソフトビームを用いて基板表面に溶融固化層及び熱歪変質層からなるマーキング領域を形成した後、当該領域に対してコントラスト改善のための化学的エッチング処理を施す。潜在マーキングを行なう場合は、ウィークレーザビームを用いて基板表面に熱歪変質層のみからなるマーキング領域を形成する。潜在マーキングは、マーキング領域に化学的エッチング処理を施すことによって顕在化させることが出来る。

請求項（抜粋）：

ソフトレーザビーム(基板結晶を溶融させるには充分であるが同結晶を昇華させるには不充分である程度のエネルギのレーザビーム)を用いて形成された溶融固化層及び熱歪変質層からなるマーキング領域を備え、当該マーキング領域に対してコントラスト改善のための化学的エッチング処理が施されていることを特徴とするマーク付き半導体結晶基板。