MIS型半導体素子用PolySiゲート電極

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：友松英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204381
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198795
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、P(+)-PolySiゲート電極からボロンの拡散による素子特性の変動を抑え、かつ、ゲート電極自体の低抵抗化を達成したゲート電極及びその製造方法を提供することにある。【構成】 MIS型半導体素子用ボロンドープPolySiゲート電極において、ボロンドープされるPolySiの結晶粒径が少なくとも0.3μm以上であることを特徴とするPolySiゲート電極及び該PolySiゲート電極の製造法。

請求項（抜粋）：

MIS型半導体素子用ボロンドープPolySiゲート電極において、ボロンドープされるPolySiの結晶粒径が少なくとも0.3μm以上であることを特徴とするPolySiゲート電極。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭58-201369
特開平1-102966
特開平3-161977

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