特許
J-GLOBAL ID：200903007614181745
増幅回路内蔵型半導体センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-239933
公開番号（公開出願番号）：特開平9-089700
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】出力特性のばらつきが小さい増幅回路内蔵型半導体センサを提供すること。【解決手段】ブリッジ構成の歪みゲージ3から出力される一対の信号電圧は一対のアンプで個別にリニア増幅された後、それらの差が検出される。一対のアンプはそれぞれ線対称位置に配設されるチップ内の領域4a,4bに形成され、これにより両アンプの出力特性のばらつきが低減される。
請求項（抜粋）：
差が所定の物理量に対応する一対の信号電圧を出力する信号変換部と、前記両信号電圧を個別に増幅する一対の信号増幅部と、前記両信号増幅部から出力される増幅信号電圧の差電圧を出力する減算部とが集積された半導体チップを有する増幅回路内蔵型半導体センサにおいて、前記両信号増幅部は、前記チップ上における対称位置に配設されることを特徴とする増幅回路内蔵型半導体センサ。
IPC (4件)：
G01L 27/00
, G01L 9/04 101
, H01L 29/84
, H03F 3/45
G01L 27/00
, G01L 9/04 101
, H01L 29/84 B
, H03F 3/45 Z
