特許

J-GLOBAL ID：200903007614706082

半導体レーザ素子

発明者： 岩井 則広 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-154298
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327124
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 全工程をMOCVD法で成長させることができるp型基板を用いた半導体レーザ素子を提供する。【構成】 p型半導体基板11上に、下部光閉じ込め層19a、活性層13、上部光閉じ込め層19bおよびクラッド層14が順次積層された積層体から形成されたストライプ状のメサを有し、前記メサの両側は半絶縁性半導体埋め込み層16で埋め込まれている半導体レーザ素子において、前記メサの底部を、上部光閉じ込め層19bの上面と下部光閉じ込め層19aの下面の間に設ける。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板上に、下部光閉じ込め層、活性層、上部光閉じ込め層およびクラッド層が順次積層された積層体から形成されたストライプ状のメサを有し、前記メサの両側は半絶縁性半導体埋め込み層で埋め込まれている半導体レーザ素子において、前記メサの底部は、上部光閉じ込め層の上面と下部光閉じ込め層の下面の間にあることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-111378
  
• 特開平4-144294
  
• 特開昭63-164483