特許
J-GLOBAL ID：200903007615637262
微細グレーティング形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-131963
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342103
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体を用いた光機能素子の表面に形成された周期的な凹凸よりなるレリーフ型のグレーティング形成方法を提供する。【構成】 真空に排気できる容器内に、化合物半導体を設置する第1の工程、化合物半導体の基板表面にマスク層を単原子層ないし数原子層形成する第2の工程、化合物半導体表面に反応性ガスを照射または接触させると同時に電子ビームを基板表面に照射する第3の工程、電子ビームが隣接する領域に移動後電子ビーム照射領域が反応性ガスによってエッチングが進行する第4の工程からなり、更に第3の工程と第4の工程とを空間的に繰り返すことで階段状の加工形状が得られる方法である。
請求項（抜粋）：
真空に排気できる容器内に、化合物半導体を設置する第1の工程と、前記化合物半導体の基板表面にマスク層を単原子層ないし数原子層形成する第2の工程と、前記化合物半導体表面に反応性ガスを照射または接触させると同時に、電子ビームを基板表面に照射する第3の工程と、前記電子ビームが隣接する領域に移動後、電子ビーム照射領域が反応性ガスによってエッチングが進行する第4の工程とを含み、更に第3の工程と第4の工程とを空間的に繰り返すことで階段状の加工形状を得ることを特徴とする微細グレーティング形成方法。
IPC (2件)：
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