特許
J-GLOBAL ID：200903007619348303
MIM型非線形素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088874
公開番号（公開出願番号）：特開平6-301064
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 従来の材料構成のMIM型非線形素子に比べ、配線抵抗が小さく、素子容量が小さくなったMIM型非線形素子を提供する。【構成】 第1の金属電極層-素子絶縁膜-第2の金属電極層で構成されているMIM型非線形素子において、第1の金属電極層を下層がアルミニウム、上層がタンタルの2層構造とし、なおかつタンタルはアルミニウムよりパターン幅が狭くなっており、素子絶縁膜の上面部はタンタルの酸化膜であり、斜面部はアルミニウムの酸化膜である。
請求項（抜粋）：
陽極酸化が可能でありなおかつ比抵抗の小さい下層金属、タンタルあるいはタンタルを主成分とする合金が上層金属である2層構造とした、走査線を介して走査回路に導電接続する第1の金属電極層と、該第1の金属電極層表面に陽極酸化によって形成された酸化膜から成る素子絶縁膜と、該素子絶縁膜表面に形成された第2の金属電極層とによって構成されているMIM型非線形素子において、該上層金属は該下層金属よりもパターン幅が狭くなっていることを特徴とするMIM型非線形素子。
IPC (2件)：
G02F 1/136 510
, H01L 49/02
