特許

J-GLOBAL ID：200903007619984269

固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-378463
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186118
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】光電変換層がアモルファスシリコンで形成されていると、アモルファスシリコン内の高密度の局在準位(ギャップ準位)が画質悪化の要因となる。【解決手段】素子チップの上部に光電変換層20を積層してなる積層型固体撮像素子において、光電変換層20を単結晶シリコンで形成することで、光電変換領域内のギャップ準位を大幅に低減し、当該ギャップ準位に起因する残像や暗電流を改善する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電荷蓄積部を形成し、かつ前記電荷蓄積部の上層部に当該電荷蓄積部と電気的に接続された画素電極を形成してなる素子チップと、 前記素子チップ上に単結晶シリコンで形成された光電変換層と、 前記光電変換層上に形成された透明電極と を備えたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L27/14 E ,  H01L21/20

Fターム (21件)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA08 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118DA03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA05 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GA09 ,  5F052AA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052FA02 ,  5F052JA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公平1-034509号公報