特許
J-GLOBAL ID:200903007625926424
半導体レーザ
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
岡田 敬
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-279222
公開番号(公開出願番号):特開平8-139406
出願日: 1994年11月14日
公開日(公表日): 1996年05月31日
要約:
【要約】【目的】 十分かつ安定した副出射光が得られ、反射率の制御のし易い、かつ動作電流すなわち主出射光量の経時変化が少ない半導体レーザを提供する。【構成】 半導体レーザ素子と、それの少なくとも一つの発光端面の上に積層された第1層と第2層と第3層を備え、半導体レーザ素子の発振波長をλ、第1層と第2層の屈折率を各々n1とn2、aを任意の整数、bを任意の奇数とし、第1層は厚さ略a・λ/(4・n1)の低屈折率材料からなり、第2層は厚さ略b・λ/(8・n2)の高屈折率材料からなり、第3層は低屈折率材料から設けるものである。
請求項(抜粋):
半導体レーザ素子と、それの少なくとも一つの発光端面の上に積層された第1層と第2層と第3層とを備え、前記半導体レーザ素子の発振波長をλ、前記第1層と第2層の屈折率を各々n1とn2、aを任意の整数、bを任意の奇数として、前記第1層は厚さ略a・λ/(4・n1)の低屈折率材料からなり、前記第2層は厚さ略b・λ/(8・n2)の高屈折率材料からなり、前記第3層は低屈折率材料からなる事を特徴とする半導体レーザ。
引用特許:
前のページに戻る