特許

J-GLOBAL ID：200903007627147066

半導体装置

発明者： ▲吉▼岡 献太郎
出願人/特許権者： 宮城沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090719
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291343
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 ボンディング時、ボンディングパッド下部のバリアメタル層の剥離が生じない半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上にフィールド酸化膜6を設け、このフィールド酸化膜6上にゲート電極材料から成る導電層15とバリアメタル層18を接続するように構成する。

請求項（抜粋）：

(a)主表面を有する半導体基板と、(b)前記主表面上に設けられた素子分離用酸化膜と、(c)前記素子分離用酸化膜上に設けられたゲート電極材料から成る導電層と、(d)前記導電層を覆う絶縁膜であって、少なくとも1つ開孔部を有した絶縁膜と、(e)前記絶縁膜上から前記開孔部内に延在するバリアメタル層であって、前記導電層と接続しているバリアメタル層と、(f)前記導電層上に設けられるボンディングパッドとなる引き出し配線層と、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 21/92 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-016145
  
• 特開昭58-040835
  
• 特開平1-296634