特許

J-GLOBAL ID：200903007628590249

容量素子

発明者： 窪田 通孝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-191472
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022476
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 容量素子の平面的な面積が同じであれば蓄電容量を大きくし、蓄電容量が同じであれば容量素子を微細化する。【解決手段】 筒状の導電膜とこの筒状の導電膜内に同軸状に配されている柱状の導電膜とで容量素子の下部電極が形成されている。このため、二重筒状を実現することができない程度に下部電極の平面的な面積が狭くても、下部電極が一重筒状である構造に比べて下部電極と上部電極との対向面積が広い。

請求項（抜粋）：

導電膜から成る下部電極が容量絶縁膜を介して上部電極と対向している容量素子において、筒状の第1の前記導電膜内に柱状の第2の前記導電膜が同軸状に配されていることを特徴とする容量素子。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651